種々のＰＶＤの比較(Ⅱ)

真空蒸着 イオンプレーティング スパッタリング
皮膜の性質 金属と一部の化合物 金属、合金、一部化合物 金属、合金、化合物、サーメットセラミックポリマー
原理 高真空中で、主として金属を蒸発させ、基板上に凝結させて皮膜をつくる アルゴンガス雰囲気中で基板に-0.5～-5KV程度の高電圧をかけ、放電させながら蒸着させる。 不活性ガス名がで基板を(+)ＩＤ、1-7kvの電圧をかけて放電し、ガスイオンを陰極に衝突させ陰極物質がとび出させ、基板上に付着させる。
皮膜の性質 均一につかない 緻密、ピンホール、フクレなし 緻密、かなりピンホール少ない
皮膜と基板との境界面 熱拡散がなければ鮮明 相互拡散、緩慢な変化層 比較的鮮明である。
皮膜の均一性 場所により変わる 均一性がよい かなり均一
皮膜の純度 蒸発源の純度による 蒸発源の純度による 蒸発源の純度による
皮膜形成速度 非常に速い 非常に速い 比較的遅い
膜厚のコントロール 困難 容易 容易
複雑な形状の表面 蒸発源に向かった表面のみ 皮膜形成 全面に、完全に皮膜が形成させる 全面に、完全に皮膜が形成させる

　　

　　　　　　　　←前ページへ(種々のＰＶＤの比較(Ⅰ))　　　　　→次ページへ(ＰＶＤの原理図)
　　　　　
　　　　　　　　・めっき関連データ集 ＴＯＰへ